在今天的IEEE國際電子設備會議上，IBM的科學家們展示了一系列突破性的科研成果，將會大大推動更小、更快、更強處理器芯片的研發。

IBM表示，五十多年來，計算機處理器一直在以驚人的速度提升性能、縮小尺寸，而且如今已經完全依賴于CMOS工藝技術，但隨著摩爾定律逐漸接近極限，傳統方法很快就會走到盡頭，亟須引入新的材料和電路架構。不同于以往僅在試驗室內實現，IBM現在成功將新的材料、新的電路架構運用到了200毫米晶圓上，有望為計算、通信、消費電子提供全新的技術根基。

碳納米管方向，IBM拿出了全球第一個通道長度（柵極長度）不足10nm的碳納米晶體管，代表了未來計算技術的重大突破，而且不同于以往已導通狀態（on-state）衡量性能的做法，IBM第一次在極其先進的工藝下提供了出色的關閉狀態（off-state）性能，比目前一些理論估算得都要好。

IBM宣稱，未來十年將進入后10nm時代，而對于傳統硅技術來說，想進化到如此尺寸會異常困難，就算能夠做成如此尺寸的硅晶體管，在性能上也難以和碳納米晶體管相提并論。

石墨烯方面，IBM做成了第一個兼容CMOS的石墨烯集成電路（倍頻器），頻率最高可達5GHz，而且能夠在200℃高溫下穩定工作。雖然其高溫穩定性的細節還需要進一步評估，但已經為在超高溫、高輻射環境中使用石墨烯電路打開了方便之門。

而且科研人員們還使用了新的嵌入式柵極結構，使之能在200毫米晶圓上獲得足夠高的良品率。

融合了磁性機械硬盤、閃存固態硬盤特點的“賽道存儲”（Racetrak Memory）再獲新進展，首次在40nm工藝200毫米晶圓上實現了與CMOS技術的整合，為長達七年的漫長物理性研發畫上了一個圓滿的句號，下邊該考慮如何投入實用了。

IBM這次展示了在256個水平磁性水平跑道組成的陣列上如何實現讀取、寫入功能，接下來將以此為基礎，通過使用垂直磁性跑道和三維架構進一步改進Racetrack存儲的密度和可靠性，最終有望以不到十億分之一秒的時間訪問海量數據。